單項(xiàng)選擇題異常向量可以出現(xiàn)的位置分別不包括()

A.內(nèi)部FLASH的高端
B.內(nèi)部FLASH的低端
C.內(nèi)部RAM的低端
D.內(nèi)部ROM的低端


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1.多項(xiàng)選擇題ARM寄存器包括()和()兩大類(lèi)。

A.通用寄存器
B.Cache
C.物理寄存器
D.狀態(tài)寄存器

2.單項(xiàng)選擇題ARM處理器的異常模式不包括()

A.特權(quán)模式
B.系統(tǒng)模式
C.未定義指令模式
D.中止模式

3.多項(xiàng)選擇題ARM指令流水包括()

A.取值
B.編譯
C.譯碼
D.執(zhí)行

4.多項(xiàng)選擇題ARM工作狀態(tài)包括()

A.ARM狀態(tài)
B.RISC
C.Thumb狀態(tài)
D.高效指令狀態(tài)