單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻


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1.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

2.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。

A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2

3.單項(xiàng)選擇題目前在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中,最常用的儲能設(shè)備是()。

A.堿性蓄電池
B.鋰離子電池
C.鎳鉻電池
D.鉛酸蓄電池

4.單項(xiàng)選擇題當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流()漂移電流,耗盡層()。

A.大于,變寬
B.小于,變窄
C.大于,變窄
D.小于,變寬

5.單項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體中摻入五價磷原子后形成的半導(dǎo)體稱為()。

A.本征半導(dǎo)體
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.化合物半導(dǎo)體

最新試題

全加器的輸出信號是()

題型:多項(xiàng)選擇題

從000一直到100這五個狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個脈沖它就加一,很顯然它是一個()加法計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

并聯(lián)型穩(wěn)壓電路中,硅穩(wěn)壓二極管應(yīng)和負(fù)載()

題型:單項(xiàng)選擇題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

使用中若IC大于ICM,即使晶體管不損壞,β也會下降。

題型:判斷題

3個JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:單項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:單項(xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測量和自動控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。

題型:判斷題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:單項(xiàng)選擇題