單項選擇題晶體的生長方式在人工制備中用的比較少的是（）
A.固相生長
B.液相生長
C.氣相生長
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1.單項選擇題下列是晶體的是（）
A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料
2.單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
3.單項選擇題硅單質(zhì)是（）
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
4.問答題簡述影響碳酸鈣分解速度的因素。
5.問答題簡述如何選擇陶瓷的成方法？
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：單項選擇題