單項(xiàng)選擇題

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

A、低于
B、等于或大于
C、大于

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單項(xiàng)選擇題

半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）

A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變

單項(xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)