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單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
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單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
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多項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
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