單項(xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大

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單項(xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心

單項(xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等