A.曲霉菌
B.毛霉菌
C.鼻孢子菌
D.念珠菌
E.隱球菌
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A.應(yīng)用止血藥
B.應(yīng)用脫水藥
C.鉆孔引流術(shù)
D.應(yīng)用皮質(zhì)激素類藥物
E.甘露醇脫水準(zhǔn)備開顱
A.原發(fā)性腦水腫
B.繼發(fā)性腦水腫
C.原發(fā)性腦干損傷
D.小腦幕切跡疝
E.枕骨大孔疝
A.大腦前動(dòng)脈
B.大腦中動(dòng)脈
C.腦膜中動(dòng)脈
D.顳淺動(dòng)脈
E.枕動(dòng)脈
A.顱內(nèi)無異常
B.顱內(nèi)散在點(diǎn)片狀高密度影
C.顱骨內(nèi)板與腦表面之間雙凸鏡形高密度影
D.顱骨內(nèi)板下新月形高密度影
E.腦內(nèi)圓形高密度影
A.腦震蕩
B.腦挫裂傷
C.硬膜外血腫
D.硬膜下血腫
E.腦內(nèi)血腫
最新試題
6MeV電子束穿射5%所需LML的厚度是()
以下關(guān)于模擬定位機(jī)結(jié)構(gòu)描述錯(cuò)誤的是()
以下關(guān)于治療計(jì)劃系統(tǒng)描述正確的是()
關(guān)于近距離放療的特點(diǎn)描述錯(cuò)誤的是()
關(guān)于患者治療部位解剖結(jié)構(gòu)的表達(dá)描述正確的是()
巴黎劑量學(xué)系統(tǒng)中源活性長(zhǎng)度AL與靶區(qū)長(zhǎng)度L的關(guān)系描述正確的是()
60鈷射線全擋所需要的低熔點(diǎn)鉛的厚度約為()
不屬于模擬定位機(jī)結(jié)構(gòu)的是()
半擋板一般需要半價(jià)層的個(gè)數(shù)為()
術(shù)中置管術(shù)后近距離治療的優(yōu)點(diǎn)包括()