問答題

【計算題】硅P－N結的N區(qū)施主濃度為1×10¹⁵cm^-3，τ_h=1μs；P區(qū)受主濃度為6×10¹⁷cm^-3，τ_e=5μs；D_h=1.3×10^-3m²/s，D_e=3.5×10^-3m²/s，試計算室溫下空穴電流與電子電流之比j_h/j_e，飽和電流密度j₀以及在正向偏壓0.3V時，流過P－N結的電流密度j。

答案：

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答案：

【計算題】設空穴的濃度呈線性分布，在3μm內濃度差為1×10¹⁵cm^－3，遷移率為400cm²/（V·s），試計算室溫下的空穴擴散電流密度j_h。

答案：