問答題

本征半導(dǎo)體中，從價帶激發(fā)至導(dǎo)帶的電子和價帶產(chǎn)生的空穴參與電導(dǎo)。激發(fā)的電子數(shù)n可近似表示為：，式中N為狀態(tài)密度，k為波爾茲曼常數(shù)，T為絕對溫度。試回答以下問題： 
（1）設(shè)N=1023cm-3，k=8.6″×10-5eV.K-1時， Si（Eg=1.1eV），TiO2（Eg=3.0eV）在室溫（20℃）和500℃時所激發(fā)的電子數(shù)（cm-3）各是多少？
（2）半導(dǎo)體的電導(dǎo)率σ（Ω-1.cm-1）可表示為，式中n為載流子濃度（cm-3），e為載流子電荷（電荷1.6×10-19C），μ為遷移率（cm2.V-1.s-1）當(dāng)電子（e）和空穴（h）同時為載流子時，
假定Si的遷移率μe=1450（cm2.V-1.s-1），μh=500（cm2.V-1.s-1），且不隨溫度變化。求Si在室溫（20℃）和500℃時的電導(dǎo)率。


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