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填空題
【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

CD段為（）段，處于該段的二極管具有反向擊穿現(xiàn)象，對應(yīng)該段的典型電參量為（），用符號表示為（），發(fā)生反向擊穿后二極管將應(yīng)電流過大導(dǎo)致PN結(jié)溫度升高出現(xiàn)（）現(xiàn)象而損壞。
答案：反向擊穿；反向擊穿電壓；U_BR；熱擊穿
填空題
【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OC段是（）段，一般硅管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍，鍺管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍.
答案：反向截止；≦幾微安；≦幾十~幾百微安
填空題
【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

AB段是（）段，此時(shí)硅管典型電壓值是（）V，鍺管是（）V；
答案：正向?qū)ǎ?.7；0.3
填空題
【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OA段是（）段，硅管典型電壓范圍為（）V，鍺管電壓范圍為（）V；
答案：死區(qū)（不導(dǎo)通區(qū)）；0.5~0.7；0.1~0.3
填空題
為保證穩(wěn)壓二極管正常工作，應(yīng)將二極管工作在（）擊穿區(qū)同時(shí)還需（）合適的（）電阻。
答案：反向；串接；限流
填空題
在選擇和替換二極管時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。選擇和替換電容時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。
答案：反向擊穿電壓和最大整流電流；耐壓值和容值
填空題
穩(wěn)壓二極管的（）特性與普通二極管類似，但（）特性更陡峭。
答案：正向；反向
填空題
硅二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右；鍺二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右。
答案：0.5~0.7V；0.1~0.3V
填空題
常用二極管采用單字母符號時(shí)用（）表示，普通二極管雙字母符號為（）；穩(wěn)壓二極管雙字母符號為（）；發(fā)光二極管常用字母（）表示。
答案：V; VD；VS；LED
填空題
PN結(jié)具有（）性。PN結(jié)的正向偏置是指（）。
答案：單向?qū)щ?；P極與電路的高電位相連，N極與電路的低電位相連

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穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電流I_Zmin指穩(wěn)壓管工作在（）狀態(tài)時(shí)的參考電流，電流（）此值時(shí)不起穩(wěn)壓作用。

你可能感興趣的試題

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OC段是（）段，一般硅管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍，鍺管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍.

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

AB段是（）段，此時(shí)硅管典型電壓值是（）V，鍺管是（）V；

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OA段是（）段，硅管典型電壓范圍為（）V，鍺管電壓范圍為（）V；

為保證穩(wěn)壓二極管正常工作，應(yīng)將二極管工作在（）擊穿區(qū)同時(shí)還需（）合適的（）電阻。

在選擇和替換二極管時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。選擇和替換電容時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。

穩(wěn)壓二極管的（）特性與普通二極管類似，但（）特性更陡峭。

硅二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右；鍺二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右。

常用二極管采用單字母符號時(shí)用（）表示，普通二極管雙字母符號為（）；穩(wěn)壓二極管雙字母符號為（）；發(fā)光二極管常用字母（）表示。

PN結(jié)具有（）性。PN結(jié)的正向偏置是指（）。

穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電流IZmin指穩(wěn)壓管工作在（）狀態(tài)時(shí)的參考電流，電流（）此值時(shí)不起穩(wěn)壓作用。

你可能感興趣的試題

【案例分析題】 根據(jù)下圖， 完成下面空格。 OC段是（）段，一般硅管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍，鍺管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍.

【案例分析題】 根據(jù)下圖， 完成下面空格。 AB段是（）段，此時(shí)硅管典型電壓值是（）V，鍺管是（）V；

【案例分析題】 根據(jù)下圖， 完成下面空格。 OA段是（）段，硅管典型電壓范圍為（）V，鍺管電壓范圍為（）V；

為保證穩(wěn)壓二極管正常工作，應(yīng)將二極管工作在（）擊穿區(qū)同時(shí)還需（）合適的（）電阻。

在選擇和替換二極管時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。選擇和替換電容時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。

穩(wěn)壓二極管的（）特性與普通二極管類似， 但（）特性更陡峭。

硅二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右；鍺二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右。

常用二極管采用單字母符號時(shí)用（）表示，普通二極管雙字母符號為（）；穩(wěn)壓二極管雙字母符號為（）；發(fā)光二極管常用字母（）表示。

PN結(jié)具有（）性。PN結(jié)的正向偏置是指（）。

穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電流I_Zmin指穩(wěn)壓管工作在（）狀態(tài)時(shí)的參考電流，電流（）此值時(shí)不起穩(wěn)壓作用。

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OC段是（）段，一般硅管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍，鍺管在該階段的反向飽和電流Is在（）范圍.

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

AB段是（）段，此時(shí)硅管典型電壓值是（）V，鍺管是（）V；

【案例分析題】
根據(jù)下圖，完成下面空格。

OA段是（）段，硅管典型電壓范圍為（）V，鍺管電壓范圍為（）V；

為保證穩(wěn)壓二極管正常工作，應(yīng)將二極管工作在（）擊穿區(qū)同時(shí)還需（）合適的（）電阻。

在選擇和替換二極管時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。選擇和替換電容時(shí)主要考慮的參數(shù)是（）。

穩(wěn)壓二極管的（）特性與普通二極管類似，但（）特性更陡峭。

硅二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右；鍺二極管的死區(qū)電壓大致為（）左右。

常用二極管采用單字母符號時(shí)用（）表示，普通二極管雙字母符號為（）；穩(wěn)壓二極管雙字母符號為（）；發(fā)光二極管常用字母（）表示。

PN結(jié)具有（）性。PN結(jié)的正向偏置是指（）。