A.球面
B.平面
C.柱面
D.以上都可以
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A.近場(chǎng)長(zhǎng)度
B.頻率
C.晶片尺寸
D.聲束交區(qū)范圍
A.探測(cè)近表面缺陷
B.精確測(cè)定缺陷長(zhǎng)度
C.精確測(cè)定缺陷高度
D.用于表面缺陷檢測(cè)
A.橫波斜探頭是由直探頭和透聲斜楔組成的
B.斜楔前面開(kāi)槽的目的是減少反射雜波
C.斜楔中的縱波聲速應(yīng)大于工件中的縱波聲速
D.橫波是在斜楔與工件交界面產(chǎn)生的
A.硬保護(hù)膜探頭
B.軟保護(hù)膜探頭
C.大尺寸探頭
D.高頻直探頭
A.對(duì)晶片振動(dòng)起阻尼作用
B.吸收晶片背面發(fā)出的雜波
C.對(duì)晶片起支撐作用
D.以上都是
最新試題
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前，必須先調(diào)節(jié)（）。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí)，（）不是影響缺陷定位的主要因素。
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來(lái)確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng)，超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為（）。
（）是影響缺陷定量的因素。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè)，儀器顯示缺陷的聲程為S，則缺陷的水平距離l為（）。
超聲檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度余量（）。
當(dāng)調(diào)節(jié)檢測(cè)靈敏度用的試塊與工件（）、曲率半徑不同或材質(zhì)衰減不同時(shí)，需要進(jìn)行傳輸修正。
（）是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測(cè)出規(guī)定大小缺陷的能力，一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來(lái)確定。