判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。

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2.多項(xiàng)選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）

A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦

3.單項(xiàng)選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說(shuō)法正確（）

A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差

4.單項(xiàng)選擇題下列晶體缺陷中對(duì)其擴(kuò)散速率影響最大的是（）

A.空位
B.填隙雜質(zhì)
C.自填隙
D.替位雜質(zhì)

5.單項(xiàng)選擇題CZ法拉不出高阻單晶硅錠的主要原因是（）

A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進(jìn)入了硅錠
B.坩堝材料分解出的氧會(huì)進(jìn)入硅錠
C.多晶硅原料純度不夠高
D.干鍋清洗不干凈造成