CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。

反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅(qū)動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

靜高壓高溫直接轉(zhuǎn)變合成法，在合成中，除了所需的合成起始材料外，還要加其它催化劑，而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉(zhuǎn)變或化合成新物質(zhì)。

界面張力的大小反映界面熱力學(xué)的穩(wěn)定性。

化學(xué)合成反應(yīng)沉積是由兩種或兩種以上的反應(yīng)原料氣在沉積反應(yīng)器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

溫度的高低不必用數(shù)字來說明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

活性炭對物質(zhì)的吸附是對極性基團少的化合物的吸附力大于極性基團多的化合物。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

紅外輻射溫度計測量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。