單項(xiàng)選擇題絕緣柵雙極晶體管的開(kāi)關(guān)速度（）電力場(chǎng)效應(yīng)管。
A、稍高于
B、低于
C、等于
D、遠(yuǎn)高于
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1.單項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是理想的（）控制器件。
A、電壓
B、電流
C、電阻
D、功率
2.單項(xiàng)選擇題在并聯(lián)諧振式晶閘管逆變器中，為求得較高的功率因數(shù)和效率，應(yīng)使晶閘管觸發(fā)脈沖的頻率（）負(fù)載電路的諧振頻率。
A、遠(yuǎn)大于
B、大于
C、接近于
D、小于
3.單項(xiàng)選擇題簡(jiǎn)單逆阻型晶閘管斬波器的調(diào)制方式是（）。
A、定頻調(diào)寬
B、定寬調(diào)頻
C、可以人為地選擇
D、調(diào)寬調(diào)頻
4.單項(xiàng)選擇題一異步三位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器，當(dāng)?shù)?個(gè)CP脈沖過(guò)后，計(jì)數(shù)器狀態(tài)變?yōu)椋ǎ?/a>
A、000
B、010
C、110
D、101
5.單項(xiàng)選擇題在或非門RS觸發(fā)器中，當(dāng)R=S=1時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)（）。
A.置1
B.置0
C.不變
D.不定
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