A.處理器速度
B.制造工藝的先進(jìn)程度
C.電子器件
D.網(wǎng)絡(luò)帶寬
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A.2
B.3
C.4
D.5
A.直達(dá)法數(shù)據(jù)會出現(xiàn)不一致
B.回寫法對寫操作沒有高速緩存的作用
C.回寫法速度更快
D.直達(dá)法存在數(shù)據(jù)不一致隱患
A.當(dāng)前指令的地址
B.下一條實(shí)際執(zhí)行的指令地址
C.下一條順序執(zhí)行的指令地址
D.對于微程序控制計算機(jī)，存放的是該條指令的微程序入口地址
A.一個記憶單元只能存儲1位二進(jìn)制數(shù)，是信息的最小單元
B.存儲器的核心是存儲陣列，它是由一個個基本記憶單元組成的
C.一臺機(jī)器的所有存儲單元的長度可能不同
D.一個存儲單元的每個二進(jìn)制必須并行工作，同時讀出或同時寫入信息
A.采用單符號位操作檢測方法判溢時，當(dāng)操作數(shù)中的加數(shù)與被加數(shù)符號相同時，若運(yùn)算結(jié)果的符號與操作數(shù)的符號不一致，表示溢出；否則，表示沒有溢出
B.采用單符號位操作檢測方法判溢時，當(dāng)加數(shù)和被加數(shù)符號不同時，相加運(yùn)算的結(jié)果有可能會溢出
C.采用變形碼操作檢測方法判溢時，若運(yùn)算結(jié)果的兩個符號位的代碼不一致時表示溢出
D.采用變形碼操作檢測方法判溢時，最高符號位永遠(yuǎn)表示結(jié)果的正確符號
最新試題
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.讀取指令B.指令譯碼C.下一條指令地址的計算D.數(shù)據(jù)計算E.控制器設(shè)計簡單F.控制器設(shè)計復(fù)雜（1）一個指令周期中，（）是每一條指令都必須執(zhí)行的，所完成的功能對所有指令都相同。（2）一個指令周期中，（）對多數(shù)指令所完成的功能是類似的。（3）一條指令在執(zhí)行過程中，一定要完成（）并保存，以保證程序自動連續(xù)執(zhí)行。（4）指令采取順序方式執(zhí)行的優(yōu)點(diǎn)是（）。（5）指令流水線方式是提高計算機(jī)硬件性能的重要技術(shù)和有效措施，但它的（）。
計算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為（）。
寫出X=10111101的補(bǔ)碼表示，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。
（）又稱字選法，所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位，或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個進(jìn)位輸出的（）操作來判斷。
柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。