問(wèn)答題一塊電阻率為3Ω·cm的N-Si樣品，空穴的壽命為τp=5μs，在其平面型的表面處有穩(wěn)定的空穴注入，過(guò)甚空穴濃度為Δp（0）=1014cm-3，計(jì)算從這個(gè)表面擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)部的空穴電流密度。在離表面多遠(yuǎn)處過(guò)?？昭舛人p到1012cm-3。
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