A.位錯不一定是直線
B.位錯是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界
C.位錯可以中斷于晶體內(nèi)部
D.位錯不能中斷于晶體內(nèi)部
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A.間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時成對出現(xiàn)
B.正離子空位和負(fù)離子空位同時成對出現(xiàn)
C.正離子間隙和負(fù)離子間隙同時成對出現(xiàn)
D.正離子間隙和位錯同時成對出現(xiàn)
A.正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的縮小
B.正離子空位和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加
C.正離子空位和負(fù)離子間隙是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加
D.正離子間隙和負(fù)離子空位是同時成對產(chǎn)生的,同時伴隨晶體體積的增加
A.外力
B.熱應(yīng)力
C.化學(xué)力
D.結(jié)構(gòu)應(yīng)力
A.雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小
B.晶體(基質(zhì))結(jié)構(gòu)
C.電價因素
D.A+B+C
A.線性增加
B.呈指數(shù)規(guī)律增加
C.無規(guī)律
D.線性減少
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空位屬于哪種晶體缺陷?()
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