A.GTO和GTR; B.TRIAC和IGBT; C.MOSFET和IGBT; D.SCR和MOSFET;
A.149.2℃; B.79.2℃; C.70℃; D.102℃;
A.選用低導通電阻的驅(qū)動管; B.提高驅(qū)動管的驅(qū)動信號的邊沿陡度; C.提高開關(guān)頻率; D.A和B及減小開關(guān)頻率;