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A.Ac
B.Ad
C.Ae
D.Asec

A.Ac
B.Ad
C.Ae
D.Asec

A.越大越好；
B.越小越好；
C.有一定的范圍；
D.無所謂；

A.放大
B.抗干擾
C.延時
D.轉(zhuǎn)換

A.GTO和GTR；
B.TRIAC和IGBT；
C.MOSFET和IGBT；
D.SCR和MOSFET；

A.149.2℃；
B.79.2℃；
C.70℃；
D.102℃；

A.選用低導(dǎo)通電阻的驅(qū)動管；
B.提高驅(qū)動管的驅(qū)動信號的邊沿陡度；
C.提高開關(guān)頻率；
D.A和B及減小開關(guān)頻率；

A.限流
B.儲能
C.阻止電流變化
D.瞬間儲能

A.輸入整流管
B.輸出整流管
C.電壓瞬變抑制管
D.信號檢波管

A.限流電阻上電流變化；穩(wěn)壓管電壓變化。
B.限流電阻上電流變化；穩(wěn)壓管電流變化。
C.限流電阻上電壓變化；穩(wěn)壓管電壓變化。
D.限流電阻上壓降變化；穩(wěn)壓管電流變化。