假設某項化學氣相淀積工藝受反應速率控制,在700 ℃和800 ℃時的淀積速率分別為500Å/min和2000Å/min,請計算在900℃下的淀積速率是多少?實際測量發(fā)現900℃下淀積速率遠低于計算值,說明什么?怎樣證明?(化學氣相淀積的反應速率常數)
識別如圖所示工藝,寫出每個步驟名稱并進行描述。
如圖為鋁金屬化與銅金屬化工藝的比較。識別并描述每個工藝步驟。
依照如圖,對硅片制造廠的六個分區(qū)分別做一個簡短的描述,要求寫出分區(qū)的主要功能、主要設備以及顯著特點。
最新試題
化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個?()
影響封裝芯片特性的溫度有()。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
摻雜后,退火的目的是()。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
芯片粘接的工藝過程包括()。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
新的平坦化方法有哪幾個?()
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查,是否有出現廢品?()