“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

MOS管閾值電壓的單位是eV。