雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。