晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。