實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

柵極材料與半導體材料的功函數差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

半導體具有的負的溫度系數的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。