理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。