第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。