當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

半導體的主要特征有（）（）（）和（）。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。