MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。