正偏pn結(jié)內(nèi)由于少子的存儲效應(yīng)而形成的電容。
發(fā)生擊穿時pn結(jié)空間電荷區(qū)的最大電場強度。
外加偏壓時,pn結(jié)體內(nèi)載流子穿過空間電荷區(qū)進入p區(qū)或n區(qū)的過程。