晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。