氧化層-半導(dǎo)體界面處禁帶寬度中允許電子能態(tài)。
由于柵極信號(hào)變化引起的輸入柵電容的充電或放電時(shí)間。
平帶條件發(fā)生時(shí)所加的柵壓,此時(shí)在氧化層下面的半導(dǎo)體中沒有空間電荷區(qū)。