1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。