MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。