MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。