N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產生影響。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產生一定厚度的耗盡層。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。