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寄生晶體管擊穿
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寄生雙極晶體管中電流增益的改變而引起的MOSFET擊穿過程中出現(xiàn)的負阻效應。
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源漏穿通
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由于漏-源電壓引起的源極和襯底之間的勢壘高度降低,從而導致漏電流的迅速增大。
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窄溝道效應
答案:
溝道寬度變窄后閾值電壓的偏移。
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