（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。