MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

絕緣層材料的厚度會對MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。