MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結是（）結，處于反偏的PN結是（）結。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對漏源電流的控制作用。

半導體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。