A.硬盤存儲器
B.內(nèi)存儲器
C.軟盤存儲器
D.光盤存儲器
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A.改寫電壓低
B.使用安全可靠
C.速度快
D.功耗低
A.1000H~10FFFH
B.10000H~10FFFH
C.2000H~11FFFH
D.20000H~12FFFH
A.CF
B.SD
C.SM
D.LCD
A.為了提高CPU讀寫程序和數(shù)據(jù)的速度,在RAM和CPU之間增加了高速緩存部件。
B.Cache的內(nèi)容是RAM中部分存儲單元內(nèi)容的副本。
C.CPU讀寫程序時(shí)先訪問高速緩存,若高速緩存中沒有所需的信息再訪問RAM。
D.Cache的容量影響內(nèi)存的容量。
A.DRAM存儲單元的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路,需要電流刷新
B.一般把DRAM用在比內(nèi)存小得多的高速緩沖存儲器等場合
C.DRAM即通常所說的內(nèi)存
D.與DRAM相比,SRAM的特點(diǎn)是讀寫速度快、存儲容量小、價(jià)格高
最新試題
OSI/RM體系結(jié)構(gòu)的哪幾層負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的傳輸和路徑選擇?()
在順序表中,以下哪些操作會(huì)涉及元素的移動(dòng)?()
數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)中的邏輯結(jié)構(gòu)是指數(shù)據(jù)元素之間存在的固有邏輯關(guān)系,與數(shù)據(jù)的存儲無關(guān)。
動(dòng)態(tài)地址重定位在程序運(yùn)行過程中進(jìn)行地址轉(zhuǎn)換。
多道批處理操作系統(tǒng)的特點(diǎn)是每次內(nèi)存中只運(yùn)行一道程序。
關(guān)于稀疏矩陣的存儲方式,以下哪些說法是正確的?()
邏輯地址和物理地址是同一個(gè)概念。
稀疏矩陣的存儲方式包括三元組、帶輔助行向量的二元組和十字鏈表。
以下哪些是棧的特點(diǎn)?()
磁盤訪問時(shí)間包括哪些部分?()