GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

非本征光電導(dǎo)

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

MOS管是一種電流型半導(dǎo)體器件，BJT是一種電壓型半導(dǎo)體器件。

陰極射線致發(fā)光

MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

磁滯回線

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級(jí)摻雜。

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。