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模擬集成電路的最大特點(diǎn)在于其輸入、輸出信號(hào)是連續(xù)變化的，這就決定了模擬集成電路測(cè)試的復(fù)雜性，和多樣性。
最新試題
提高光刻最小線寬可以通過(guò)提升介質(zhì)的介電常數(shù)實(shí)現(xiàn)。
光生伏特效應(yīng)
在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
AFM通常用來(lái)觀測(cè)樣品表面形貌。
通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。
光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。
本征吸收
敏化劑
MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。
TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。