光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。

平衡態(tài)下在pn結(jié)中p區(qū)和n區(qū)的費(fèi)米能級(jí)是相等的。

猝滅劑

磁滯回線(xiàn)

通常利用TEM觀測(cè)的分辨率高于SEM。

等離子體

有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV

非本征光電導(dǎo)

光電探測(cè)器的靈敏度主要取決于其禁帶寬度大小。

激活劑