刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）