碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）