CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。