硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）