A.內(nèi)部條件,基區(qū)摻雜濃度小于發(fā)射區(qū)摻雜濃度 B.內(nèi)部條件,基區(qū)摻雜濃度大于發(fā)射區(qū)摻雜濃度 C.外部條件,發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏 D.外部條件,發(fā)射結(jié)反偏。集電結(jié)反偏
A.二極管 B.PN結(jié) C.晶體 D.導(dǎo)電區(qū)
A.發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界處的PN結(jié)為發(fā)射結(jié) B.基區(qū)與集電區(qū)交界處的PN結(jié)為發(fā)射結(jié) C.發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界處的PN結(jié)為集電結(jié) D.發(fā)射區(qū)與集電區(qū)交界處的PN結(jié)為集電結(jié)