問(wèn)答題解釋組分過(guò)冷并推導(dǎo)組分過(guò)冷產(chǎn)生的條件，討論出現(xiàn)組分過(guò)冷時(shí)平坦界面上的干擾如何發(fā)展成胞狀界面及枝蔓生長(zhǎng)。
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1.問(wèn)答題分析產(chǎn)生雜質(zhì)條紋的根本原因，說(shuō)明對(duì)于非平坦界面，由于晶轉(zhuǎn)軸與熱轉(zhuǎn)軸不重合帶來(lái)的雜質(zhì)條紋的形狀。
3.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶徑向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
4.問(wèn)答題討論CZ法中影響單晶縱向電阻率均勻性的因素及其控制辦法。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述CZ法中雜質(zhì)摻入辦法及其選擇依據(jù)。
最新試題
氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。
題型：判斷題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。
題型：填空題
處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。
題型：判斷題
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會(huì)落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題