單項選擇題目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）
A.注氧隔離法
B.智能剝離法
C.鍵合再減薄技術
D.以上都是
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1.單項選擇題硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
A.制備硅烷
B.硅烷熱分解
C.精餾
D.固體吸附法
2.多項選擇題多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
A.印刷多層法
B.生板疊層法
C.磁控濺射法
D.厚膜多層法
3.單項選擇題厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
A.有機物顆粒
B.塑料顆粒
C.玻璃顆粒
D.陶瓷顆粒
4.單項選擇題典型的薄膜生長工藝一般采用物理氣相淀積法進行，以下不屬于物理氣相淀積工藝的為（）。
A.真空蒸鍍
B.濺射鍍膜
C.化學鍍
D.電鍍
5.多項選擇題鑒定加速試驗中，溫度相關的試驗包括（）。
A.恒溫試驗
B.功率溫度組合循環(huán)試驗
C.溫度循環(huán)試驗
D.熱沖擊試驗
最新試題
CMP的設備構成包括（）。
題型：多項選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）
題型：單項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
題型：多項選擇題